芯片代工厂格芯 (GlobalFoundries) 现已从美国政府手中取得3,500万美元 的联邦资金，以加快该公司坐落美国佛蒙特州Essex Junction的芯片厂在第三类半导体──氮化镓（GaN）的出产。

  依据美国新闻媒体报道，这笔资金使格芯更接于GaN的大规模出产，这些芯片在处理高电压和高温环境才能方面是绝无仅有的，使其能为基础设施、手机、轿车、工业物联网（IoT）、电网和其他要害基础设施的5G和6G通讯供给改动游戏规则的功能和功率。

  跟着国防部Trusted Access Program Office（TAPO）给予的31亿美元新资金，格芯方案购买额定的东西，以扩展开发和规划才能，更挨近大规模出产8英寸GaN芯片。作为出资的一部分，格芯方案施行新的方案，以削减公司及其客户对镓 ( Ga) 供给链约束的危险，一起进步美国制作的GaN芯片的速度、供给才能和竞争力。

  格芯总裁兼首席执行官Thomas Caulfield表明，GaN是高功能射频、高压功率开关等新式商场的操控使用抱负技能，将对6G无线通讯、工业物联网和电动轿车发生严重的影响。而格芯与美国政府有着长时间的协作伙伴关系，这笔资金关于使GaN芯片能更挨近大量出产阶段。别的，这些芯片也将使格芯的客户能完结斗胆的新规划，进一步打破每天所依靠要害技能的能耗和功能极限。

  格芯坐落美国佛蒙特州伯灵顿邻近Essex Junction的芯片厂为美国最早的首要半导体制作基地之一。现在，约有1,800职工在此地作业。在此格芯芯片厂所制作出来的芯片将被用于世界各地的才智手机、轿车和通讯基础设施上。别的，该芯片厂是也DMEA认证的可信赖芯片厂，用以与美国国防部协作出产安全芯片，使用于美国一些最灵敏的航空航天和国防体系上。